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还在寻找一颗能瞬间提升您系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT49H16M36BM-25 IT:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，拥有高达400MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松应对高速数据缓冲、实时处理等苛刻任务，让您的应用运行如飞。

它采用16M x 36的宽位架构和并联接口，提供充沛的带宽，非常适合网络设备、工业控制及高端嵌入式系统。1.7V~1.9V的低电压工作范围帮助您高效节能，而-40°C至85°C的宽温支持则确保了它在各种严峻环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲可靠的‘数据心脏’。

• 型号:MT49H16M36BM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。