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当您的设计需要一颗能瞬间响应、稳定吞吐海量数据的“记忆核心”时，MT49H16M18CFM-25:B TR正是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率，能轻松驾驭高速数据处理任务，让您的网络设备、工业控制器或高端嵌入式系统运行得更流畅、更高效。

它采用先进的1.8V左右低电压运行，在提供强劲性能的同时，有效控制功耗。其20ns的快速访问时间和宽温工作特性，确保您在复杂应用场景下也能获得可靠、及时的数据响应。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证的、高性能的存储引擎。

• 型号:MT49H16M18CFM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CFM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。