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还在为系统启动慢或数据存储不可靠而影响产品体验吗？让MT28F004B5VG-8 B TR来为您解决！这颗由美光科技出品的4Mb并行NOR Flash芯片，是您嵌入式系统理想的“记忆核心”。它采用经典的512K x 8架构，访问时间快至80ns，能显著加速您的处理器读取指令和关键数据的速度，让系统启动更迅捷，运行更流畅。

它为您提供稳定的非易失性存储，确保断电后所有重要代码和参数毫发无损。4.5V~5.5V的宽电压供电设计，让它在各种电源环境下都能稳定工作。无论是用于存储引导程序、应用程序代码，还是作为数据日志缓冲区，它都能轻松胜任，大幅提升您产品的可靠性和响应效率。

• 型号:MT28F004B5VG-8 B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:40-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:80ns
• 访问时间:80 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:40-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:40-TSOP I
• MT28F004B5VG-8 B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。