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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT49H16M18BM-25 IT:B TR为您带来变革！这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和20ns的快速访问时间，能瞬间提升您的数据吞吐能力，让主处理器尽情发挥，轻松应对实时图像处理、高速网络缓冲等苛刻任务。

它采用先进的144-TFBGA封装，节省宝贵空间，并支持表面贴装，便于高效生产。更令人放心的是，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围和1.7V~1.9V的低电压特性，确保了在工业、车载等严酷环境下的稳定运行与出色能效。选择它，就是为您的核心设备注入一颗强劲、可靠的数据心脏。

• 型号:MT49H16M18BM-25 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-25 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。