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还在寻找一颗能扛起数据重任、稳定可靠的“老将”吗？MT47H64M8CB-37V:B TR正是这样一款经典DDR2 SDRAM芯片。它拥有512Mb的存储容量，采用高效的64M x 8位并行架构，能以高达267MHz的时钟频率飞速运转，让您的系统数据处理能力大幅提升，轻松应对各种实时读写挑战。

这颗芯片专为追求稳定与效率的您设计。其低至1.8V左右的工作电压有助于降低整体功耗，而0°C至85°C的宽温范围则确保了它在多种环境下都能稳定工作。无论是用于工业控制、网络设备还是其他需要可靠内存支持的应用，它都能成为您系统中高效、耐用的数据核心，让您的产品运行更流畅，表现更出色。

• 型号:MT47H64M8CB-37V:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-37V:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。