我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT46V128M4P-5B:F TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗高速、可靠的“数据中转站”吗？MT46V128M4P-5B:F TR正是您期待的解决方案。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，拥有128M x 4的并行架构，能以高达200MHz的时钟频率飞速运转，访问时间低至惊人的700ps。这意味着它能轻松应对实时数据缓冲、高速程序运行等任务，让您的系统响应如丝般顺滑。

它采用2.5V~2.7V低电压工作，在提升能效的同时，其标准的66-TSSOP表面贴装封装让您能高效利用板卡空间，实现紧凑设计。无论是工业控制、网络设备还是需要稳定内存支持的各种应用，这颗芯片都能提供坚实的性能基础，让您专注于核心功能开发，无需为存储性能担忧。

• 制造商产品型号：MT46V128M4P-5B:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
• MT46V128M4P-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。