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还在为嵌入式系统的内存瓶颈寻找突破方案吗？MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR这颗美光移动低功耗SDRAM，就是为您量身打造的性能加速器。它以高达166MHz的时钟频率和5ns的极速访问时间，让您的系统数据处理告别等待，实现流畅迅捷的实时响应。其128Mb的并行存储容量，足以轻松应对多种应用的数据缓冲与运行需求。

更重要的是，它能在1.7V至1.95V的低电压下高效工作，显著降低系统整体功耗，特别适合对续航有严苛要求的便携式与电池供电设备。54-VFBGA的紧凑封装让您的设计更自由，而宽达-40°C至85°C的工作温度范围，则确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠。选择它，就是选择让您的产品在性能、能效与可靠性上全面领先。

• 型号:MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。