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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8CB-37E:B为您注入澎湃动力！这颗美光512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借其64M x 8的并行接口和高达267MHz的运行速度，能轻松胜任高速数据缓存与交换任务，显著提升您的系统响应效率。

它采用先进的1.8V低电压设计，不仅功耗控制出色，更能与主流平台高效协同。其500ps的极快访问时间和15ns的写周期，确保您的关键数据指令得到即时处理。无论是工业控制、网络通信还是嵌入式应用，它都能让您的设备运行更流畅、更稳定，是您构建高效可靠系统的理想存储基石。

• 型号:MT47H64M8CB-37E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-37E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。