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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR就是您期待的答案。这颗美光出品的512Gb NAND闪存芯片，凭借其并联接口和高达167MHz的时钟频率，能为您提供疾风骤雨般的数据读写体验，让您的服务器、网络设备或工业控制系统彻底告别存储延迟，轻松应对大数据流的实时挑战。

它不仅仅容量巨大，更在能效和可靠性上表现出色。2.7V至3.6V的宽电压支持，帮助您优化系统功耗；0°C至70°C的工业级工作温度范围，确保它在各种环境下都能稳定高效运行。采用152-TBGA封装，集成度高，信号完整性卓越，让您的PCB布局更简洁，系统设计更稳健。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、值得完全信赖的数据仓库。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：152-TBGA
• MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。