我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H64M8B6-37E:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗性能与稳定兼备的“内存心脏”吗？MT47H64M8B6-37E:D TR正是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达267MHz的速度并行处理数据，让您的设备轻松应对实时、高吞吐量的运算任务。

它为您带来的是高效流畅的体验。仅需1.8V左右的低电压供电，它就能在广泛的温度范围内稳定工作，显著降低系统能耗与热管理压力。500ps的快速访问时间意味着更短的等待，让应用程序响应更加迅捷。无论是工业控制、通信基础设施还是需要可靠内存支持的各种应用，它都能无缝集成，成为提升产品整体竞争力的关键一环。

• 型号:MT47H64M8B6-37E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-37E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。