我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT46V64M8CY-5B L:J TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的核心存储器吗？MT46V64M8CY-5B L:J TR就是您的高效答案。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，拥有64M x 8的并行架构，以200MHz的时钟频率和惊人的700ps访问速度运行，能轻松处理海量数据的实时读写任务，让您的嵌入式设备或通信模块运行如行云流水般顺畅。

它采用2.5V~2.7V低电压设计，在提供强劲性能的同时兼顾能效。表面贴装的60-TFBGA封装让集成变得简单可靠。无论是用于维持现有经典系统的稳定运行，还是作为特定高性能需求场景的存储解决方案，它都能让您以成熟的方案，高效达成设计目标，确保产品核心存储模块的卓越表现。

• 型号:MT46V64M8CY-5B L:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B L:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。