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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H32M16BN-3:D TR为您开启高效数据交互的新篇章。这颗美光512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度运行，配合极低的访问延迟，瞬间提升您的主控处理器数据存取效率，让应用程序运行更流畅，响应更迅捷。

它采用经典的32M x 16位并联架构和1.8V低电压设计，在为您提供强大512Mb存储空间的同时，显著优化系统功耗。其工业级的工作温度范围和紧凑的BGA封装，让您能轻松将其集成到各种空间有限、环境要求严苛的嵌入式设计中，从工业控制到网络通信，都能稳定担当数据缓存与交换的重任。

• 型号:MT47H32M16BN-3:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
• MT47H32M16BN-3:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。