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您是否在寻找一颗能赋予您的高端汽车电子系统澎湃数据动力的核心存储器？MT47H64M16NF-25E AAT:M TR正是您理想的答案。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM，拥有高达400MHz的运行速度与仅400ps的快速访问时间，能让您的系统高效处理海量数据流，无论是复杂的图形渲染还是实时的传感器信息融合，都能轻松应对，确保用户体验流畅无阻。

更重要的是，它专为严苛环境设计。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围与汽车级（AEC-Q100）认证，意味着卓越的可靠性与稳定性。这让您能够自信地将其集成到车载信息娱乐、数字仪表盘或ADAS等关键应用中，无需担心极端温度带来的性能波动。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的卓越性能与长久耐用性。

• 型号:MT47H64M16NF-25E AAT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-25E AAT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。