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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8B6-25E:D TR为您带来颠覆性的流畅体验！这颗512Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的高速时钟和并联接口，能瞬间提升您的系统数据交换效率，让海量信息处理变得轻松自如。

它能在1.8V左右的核心电压下高效工作，显著降低整体功耗，同时其宽温特性确保在0°C到85°C的环境下稳定运行。无论是用于需要快速响应的工控主板，还是追求稳定持续运行的网络设备，它都能成为您系统中可靠高效的数据枢纽，让您的产品性能表现始终领先一步。

• 型号:MT47H64M8B6-25E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-25E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。