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还在为您的设备寻找一颗既能扛住压力又能保持高效的内存核心吗？MT41K512M16TNA-125:E TR就是您的答案。这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM，拥有512M x 16的存储架构，能以高达800MHz的速度流畅处理数据，13.5ns的快速访问时间让系统响应毫无迟滞，瞬间提升您的设备运行效率。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），能显著为您降低整体系统功耗，同时其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）确保了在各类环境下都能稳定运行。无论是嵌入式系统、工业控制还是网络通信设备，它都能轻松融入，提供可靠的数据存储与交换支持，让您的产品设计更稳健、性能更出色。

• 型号:MT41K512M16TNA-125:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（10x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
• MT41K512M16TNA-125:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。