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还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、可靠性高的“记忆核心”吗？M29W256GH70ZS6E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，能以70ns的迅捷速度响应您的每一次数据访问与写入请求，让您的系统运行如行云流水般高效。

它为您提供高达256Mbit的稳定非易失存储空间，并支持灵活的x8或x16数据宽度。更令人放心的是，其2.7V至3.6V的宽电压范围和-40°C到85°C的宽广工作温度，让它能轻松应对工业、汽车等严苛环境挑战，确保您的关键代码与数据在任何条件下都安全无虞。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:M29W256GH70ZS6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W256GH70ZS6E，Micron（美光）产品一站式供应商。