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还在为寻找一颗能扛起数据重担、稳定可靠的DDR2内存而烦恼吗？让MT47H128M8B7-5E L:A为您解忧！这颗来自美光科技的1Gb并行DRAM芯片，是您提升系统响应速度与数据处理能力的秘密武器。

它凭借200MHz的时钟频率和仅600ps的极快访问时间，能让您的嵌入式系统、工业控制器或网络设备轻松实现高速数据缓存与交换，瞬间化解数据吞吐瓶颈。1.7V~1.9V的低电压供电，在保障强劲性能的同时，助力您设计出更节能高效的产品。其坚固的92-VFBGA封装和0°C至85°C的宽温工作范围，更是确保了在各种应用环境下都能稳定运行，让您无后顾之忧。

• 型号:MT47H128M8B7-5E L:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
• MT47H128M8B7-5E L:A，Micron（美光）产品一站式供应商。