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它采用1.8V左右低电压供电与先进的工艺，在保证350ps极快访问速度的同时，还能有效控制功耗与发热，让您的设计更高效、更可靠。无论是升级现有设备性能，还是为特定应用寻找稳定可靠的存储核心，它都能让您轻松集成，助力您的产品在性能竞赛中稳操胜券。

• 型号:MT47H64M16HR-187E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-187E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。