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还在寻找能扛住极端温度、助力设备飞速运行的内存方案吗？MT47H64M16HR-3 AAT:H TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有64M x 16的组织结构，能以高达333MHz的速度并行处理数据，访问时间低至450ps。这意味着它能轻松应对工业自动化、车载系统或户外通信设备中对高速、实时数据读写的严苛要求。

更令人印象深刻的是其强大的环境适应性。1.8V左右的核心电压兼顾了性能与能效，而-40°C至105°C的宽温工作范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在各种恶劣条件下依然稳定可靠。采用84-TFBGA封装，适合高密度的表面贴装设计，帮助您优化产品空间。选择它，就是为您的核心设备注入一颗强劲、耐用的“数据心脏”，让系统运行更高效、更从容。

• 型号:MT47H64M16HR-3 AAT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-3 AAT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。