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还在寻找一款能扛住时间考验、为成熟系统注入持久动力的存储核心吗？NAND512W3A2SZA6F TR就是您理想的答案。这颗美光出品的512Mb并行NAND闪存，能为您需要长期稳定运行的设备提供可靠的数据仓库。

它让您轻松实现高效的数据存储与读取。凭借50ns的快速访问时间和宽电压工作范围（2.7V~3.6V），它能确保在各种复杂供电环境下稳定工作。其宽广的工作温度（-40°C ~ 85°C）更能让您的产品从容应对从严寒到酷热的极端挑战，是工业控制、汽车电子及通信设备等领域的坚实后盾。

• 型号:NAND512W3A2SZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512W3A2SZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。