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您正在为新一代工业设备或车载系统寻找一颗“扛得住”的存储芯吗？MT47H32M16HR-25E AAT:G正是为您而来。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度并行处理数据，让您的系统响应如飞，轻松应对实时控制与高速数据交换的挑战。

更令人称道的是其宽广的工业级温度适应能力（-40°C ~ 105°C）和1.8V左右的低功耗设计。这意味着无论您的设备身处冰天雪地还是炎炎夏日，它都能稳定高效地工作，同时帮助您优化整体能耗。其84-TFBGA的紧凑封装，更为您的PCB布局节省宝贵空间，让高性能设计游刃有余。

• 型号:MT47H32M16HR-25E AAT:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16HR-25E AAT:G，Micron（美光）产品一站式供应商。