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当您的汽车电子系统需要一颗强大、可靠且反应迅速的“大脑记忆体”时，MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NOR闪存芯片，专为应对汽车级严苛环境而生，旨在让您的设计脱颖而出。

它为您提供高达1Gb（64M x 16）的非易失存储空间，配合105ns的快速访问时间，确保关键代码和数据的即时读取零延迟。宽电压（1.7V~3.6V）支持和-40°C至105°C的极端工作温度范围，让您的产品轻松适应全球各种复杂工况，稳定性无可挑剔。选择它，就是为您的智能汽车应用注入高效、可靠的核心存储动力。

• 制造商产品型号：MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：60ns
• 访问时间：105ns
• 电压-供电：1.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。