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当您的设计需要一颗强大、可靠的内存核心来驱动时，MT47H256M8THN-3:H TR就是为您准备的解决方案。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度并行处理数据，让您的系统轻松应对繁重的实时数据读写任务，无论是缓冲、暂存还是高速运算支持，都游刃有余。

它为您带来的，是高效稳定的数据吞吐体验。1.8V左右的工作电压在保证性能的同时兼顾能效，而仅450ps的访问时间则意味着极低的延迟，显著提升系统响应速度。其工业级温度范围（0°C至85°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行，让您的设备在各种场景中都值得信赖。

• 型号:MT47H256M8THN-3:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-3:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。