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还在为嵌入式系统的数据吞吐能力而担忧吗？让MT46V32M16TG-75E:C TR为您带来颠覆性的体验。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM，凭借133MHz的高时钟频率和仅750ps的极速访问时间，能瞬间响应您的每一个数据请求，让您的设备处理海量信息时快人一步，运行如飞。

它为您提供高达32M x 16的存储空间，轻松应对复杂的图形缓冲、实时数据日志记录或通信协议栈运行，大幅提升系统整体效率。其2.3V~2.7V的低电压设计和宽温工作范围，更能帮助您轻松实现节能与稳定性的双重目标，确保在各种应用场景下都表现出色，是您打造高性能、高可靠性产品的得力助手。

• 型号:MT46V32M16TG-75E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-75E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。