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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT47H128M4CB-3:B为您带来流畅体验！这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，就像一个高效的数据中转站，能以333MHz的频率快速响应您的读写指令，其450ps的极速访问时间，让数据延迟几乎难以察觉。

它采用标准的并联接口和60-FBGA封装，让您的PCB设计和生产焊接变得轻松简单。无论是用于升级现有设备，还是为经典设计提供稳定可靠的内存支持，它都能让您的系统运行更高效、更稳定，是您值得信赖的存储伙伴。

• 型号:MT47H128M4CB-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H128M4CB-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。