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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT47H256M4SH-25E:M TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Gb DDR2 SDRAM，采用高效的256M x 4架构与并联接口，能以高达400MHz的时钟频率极速运行，让您的设备轻松处理海量数据流，告别卡顿与延迟。

它专为 demanding 应用而生。其仅1.8V左右的工作电压和低至400ps的访问时间，意味着在为您提供强劲性能的同时，还能显著优化系统能效，延长电池寿命或降低散热需求。无论是复杂的实时控制、高速网络通信还是多媒体处理，它都能让您的设计游刃有余，运行更高效、更稳定。

• 型号:MT47H256M4SH-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H256M4SH-25E:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。