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还在为寻找一颗能兼顾大容量、高速度与高可靠性的存储核心而烦恼吗？MT29F256G08CKCABH2-10Z:A正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，拥有32G x 8的并行架构，能以高达100MHz的时钟频率迅猛处理数据，让您的设备实现瞬间响应与流畅运行。

它采用100-TBGA表面贴装封装，支持2.7V~3.6V的宽电压范围，并能在0°C至70°C的广泛温度区间内稳定工作。这意味着它能轻松融入您的工业控制、网络通信或嵌入式系统设计，为您提供持久、高效的非易失存储解决方案，彻底解放产品的数据潜能。

• 型号:MT29F256G08CKCABH2-10Z:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F256G08CKCABH2-10Z:A，Micron（美光）产品一站式供应商。