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还在为嵌入式系统寻找稳定高效的“记忆中枢”吗？MT47H256M4BT-3:A正是您理想的解决方案。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度流畅处理数据，450ps的极速访问时间让系统响应毫无迟滞，显著提升整体运行效率。

它采用低至1.7V~1.9V的供电设计，帮助您轻松构建更节能、发热更少的系统。其坚固的92-VFBGA封装和宽温工作特性，确保在各种工业与商业环境中都能长期稳定运行，让您的设备可靠性倍增。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的成熟与可靠。

• 型号:MT47H256M4BT-3:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
• MT47H256M4BT-3:A，Micron（美光）产品一站式供应商。