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MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
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MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR 规格参数

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的“心脏”吗?MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR就是您的答案。这颗来自美光科技的64Gb并行NAND闪存芯片,能轻松为您的嵌入式系统、工业控制设备或网络设备提供高达8G x 8的庞大非易失存储空间,让您无需再为程序代码、系统日志或用户数据的存放而精打细算。

它采用可靠的并联接口,确保数据传输高效稳定。宽电压(2.7V~3.6V)与宽温(0°C~70°C)设计,让它能轻松适应多种供电环境与工作场景,提升您终端产品的环境适应性与可靠性。选择它,就是为您的产品选择了一颗久经考验、值得信赖的存储核心。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL WAFER
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR 基本参数:

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