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还在为嵌入式系统的数据缓存瓶颈寻找解决方案吗？让MT46V16M16CY-5B:M TR为您开启高效流畅的数据处理体验。这颗美光科技的256Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度运行，配合极低的访问延迟，确保您的主控处理器无需等待，大幅提升系统实时响应能力。

它采用标准的并联接口和2.5V~2.7V低电压设计，让您轻松集成到现有电路中，有效降低整体功耗。无论是用于工业控制、网络设备还是消费电子，它都能在0°C~70°C的温度范围内稳定工作，为您产品的长期可靠运行提供坚实保障。选择它，就是为您的核心设备注入一颗经过验证的强劲“数据心脏”。

• 型号:MT46V16M16CY-5B:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V16M16CY-5B:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。