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这颗芯片采用先进的1.8V供电和60-TFBGA紧凑封装，不仅功耗控制出色，更能节省宝贵的板级空间。其宽广的工作温度范围（0°C至85°C）确保了在多样环境下的稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、网络设备或高端消费电子项目，注入一颗强劲而可靠的心脏，让您的产品性能表现始终高效、出众。

• 型号:MT47H128M4SH-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M4SH-25E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。