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还在寻找一颗能扛起数据重任的可靠内存芯片吗？MT47H128M4SH-25E:H就是您的答案。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐效率，让海量信息处理变得轻松流畅。

它采用并联接口和1.8V供电，在保证高性能的同时实现高效节能。其宽温工作特性（0°C至85°C）和坚固的60-TFBGA封装，更能让它在各种嵌入式应用和工业环境中稳定运行，是您构建可靠数字系统的坚实后盾。

• 型号:MT47H128M4SH-25E:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M4SH-25E:H，Micron（美光）产品一站式供应商。