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还在寻找一颗能轻松应对中高速数据缓冲与处理任务的核心存储器吗？MT47H32M16BN-25:D TR正是为您而来！这颗512Mb大容量的DDR2 SDRAM芯片，就像您系统中的一个高效、敏捷的数据中转站。

它凭借400MHz的时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能让您的处理器无需等待，流畅地存取大量临时数据，显著提升整体运算效率。无论是处理图像帧缓存、网络数据包还是复杂的程序变量，它都能轻松胜任。其1.8V左右的低电压运行，在提供出色性能的同时兼顾能效，而表面贴装的84-TFBGA封装更让您能高效利用宝贵的电路板空间，简化设计流程。

• 型号:MT47H32M16BN-25:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
• MT47H32M16BN-25:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。