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还在为老旧设备寻找可靠的内存升级方案吗？MT47H128M4CB-5E:B就是您的理想答案。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度稳定运行，为您需要延续生命周期的工业控制、网络通信等设备注入持久活力。

它采用高效的128M x 4位宽并联架构和1.8V低电压设计，不仅让数据存取迅捷如飞（访问时间仅600ps），更能帮助您优化系统功耗与散热。其坚固的60-FBGA封装和宽温工作特性，确保它在各种环境下都能可靠服役，让您的设备维护与升级工作变得前所未有的轻松与高效。

• 制造商产品型号：MT47H128M4CB-5E:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：600ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
• MT47H128M4CB-5E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。