我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H128M16RT-187E:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗性能与稳定兼备的内存芯片吗？MT47H128M16RT-187E:C TR将为您提供卓越的解决方案。这颗来自美光科技的2Gb DDR2 SDRAM，以533MHz的高时钟频率和350ps的快速访问时间，让您的系统轻松实现高速数据读写与流畅的多任务处理。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，有效帮助您降低整体功耗，并在0°C至85°C的宽温范围内保持稳定运行，非常适合对可靠性要求极高的工业控制、通信设备等应用。其紧凑的84-TFBGA封装，更能让您高效利用板卡空间，简化设计流程，是打造高性能、高稳定性产品的理想选择。

• 型号:MT47H128M16RT-187E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（9x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5）
• MT47H128M16RT-187E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。