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还在为系统缓存的速度而妥协吗？MT44K64M18RB-093F:A将彻底改变您的认知。这颗1.125Gb容量的RLDRAM 3芯片，能以高达1067MHz的频率飞速运转，访问延迟低至惊人的7.5ns，专为消除数据路径上的任何等待而设计。

它能让您的高端网络设备、电信基础设施或测试测量仪器，轻松应对爆炸式增长的数据吞吐需求。无论是处理实时视频流、进行高速数据包缓冲，还是支撑复杂的查找表操作，它都能提供稳定、高效的高速暂存空间，确保您的系统核心处理器永远“食粮”充足，全力冲刺。

选择它，就是为您的产品选择了一个经过严苛验证的高性能数据伙伴，让您在开发下一代高性能应用时底气十足，游刃有余。

• 型号:MT44K64M18RB-093F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-093F:A，Micron（美光）产品一站式供应商。