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更重要的是，它懂得如何高效工作。其1.283V~1.45V的低电压运行特性，让您在享受高性能的同时，显著降低系统整体功耗，延长设备续航或减少散热压力。无论是工业控制、网络通信还是嵌入式计算，这颗芯片都能以稳定的表现和宽温（0°C~95°C）适应性，成为您项目中值得信赖的“记忆核心”。选择它，就是选择了一份经过市场验证的成熟与可靠。

• 型号:MT41K512M4DA-107:K
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K512M4DA-107:K，Micron（美光）产品一站式供应商。