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还在寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与出色性价比的存储芯片吗？MT29F1G08ABADAH4:D正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的1Gb NAND闪存，采用并联接口，能为您的高速应用提供稳定流畅的数据吞吐体验。

它拥有128M x 8的存储架构，宽电压（2.7V-3.6V）支持和0°C至70°C的工作温度范围，让您的设备在各种环境下都能稳定运行，轻松应对物联网终端、工业控制、消费电子等多元场景的存储需求。其紧凑的63-VFBGA封装，更能帮助您高效利用PCB空间，实现更精巧的产品设计。

• Micron美光半导体完整型号：MT29F1G08ABADAH4:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
• 系列：-
• 格式 - 存储器：闪存
• 存储器类型：闪存 - NAND
• 存储容量：1G（128M x 8）
• 速度：-
• 接口：并联
• 电压 - 电源：2.7 V ~ 3.6 V
• 工作温度：0°C ~ 70°C
• 封装/外壳：63-VFBGA
• 供应商器件封装：63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。