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还在为嵌入式系统的数据吞吐效率而担忧吗？让MT46V64M8TG-75:D为您注入强劲动力！这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，采用成熟的64M x 8位架构，能以高达133MHz的时钟频率和仅750ps的访问速度运行，轻松应对实时数据缓冲、高速程序执行等关键任务，显著提升您设备的整体响应速度和处理能力。

它专为要求稳定与高效的场景而生。2.3V至2.7V的低工作电压范围，让您的设计在保持高性能的同时兼顾能效，特别适合便携式和电池供电设备。其标准的66引脚TSOP封装和表面贴装类型，让您能够轻松将其集成到各种紧凑的PCB布局中，大大简化您的生产流程。选择它，就是为您的产品选择了一份久经考验的可靠性与高效能。

• 型号:MT46V64M8TG-75:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-75:D，Micron（美光）产品一站式供应商。