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还在为移动设备的性能瓶颈而烦恼吗？MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR正是为您破局而来的利器。这颗美光LPDDR4移动DRAM，拥有8Gb（256M x 32）的大容量和1600MHz的高速度，能瞬间提升您设备的系统响应能力和多任务处理流畅度，让复杂的应用加载和大型文件传输变得行云流水。

它采用先进的1.1V低电压设计，在提供强大数据吞吐量的同时，显著优化功耗，直接助力延长您终端产品的电池续航时间。其表面贴装的200-WFBGA紧凑封装，非常适合空间受限的现代移动设备设计，帮助您实现更轻薄、更时尚的产品外观。选择它，就是选择了一个经过市场考验的高性能、高能效存储核心，让您的产品在体验上快人一步。

• 型号:MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（11x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（11x14.5）
• MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。