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还在寻找一颗能瞬间响应、稳定担当的存储核心吗？MT46V64M8TG-5B IT:J就是您期待的答案。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高速时钟和仅700ps的极速访问时间，能大幅提升您系统的数据吞吐效率，让实时处理和海量缓冲变得轻松自如。

它采用2.5V~2.7V低电压运行，有效帮助您控制整体功耗。其坚固的设计支持-40°C到85°C的宽温工作范围，确保在严苛的工业、汽车或户外环境中依然稳定可靠。标准的表面贴装封装让您的生产集成更加高效便捷。选择它，就是为您的嵌入式系统注入一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 型号:MT46V64M8TG-5B IT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-5B IT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。