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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F1G08ABAEAH4:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存，能为您提供高达128M x 8位的高效存储空间，让您的设备轻松容纳海量程序代码、用户数据或系统日志。

凭借其2.7V~3.6V的宽电压适应能力和稳定的并联接口，它能确保在各种应用环境中数据读写的可靠与高效。采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，它能帮您最大化节省电路板空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的项目选择了一个坚实、耐用且高性能的存储基石。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。