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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破口吗？MT46V64M8FN-6 IT:F TR就是您的高效解决方案。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，以167MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，能大幅加速您的数据处理流程，让您的设备响应更快，运行更流畅。

它采用稳定的并行接口和2.3V~2.7V低电压设计，并能在-40°C至85°C的严苛温度下可靠工作。无论是工业控制、汽车电子还是网络通信设备，它都能轻松融入，为您提供持久稳定的高速数据缓存支持，有效提升系统整体性能。

• 型号:MT46V64M8FN-6 IT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-6 IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。