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MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR 零件图片(仅供参考)

MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR
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MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR 规格参数

还在为嵌入式项目寻找一颗“恰到好处”的内存芯吗?MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR正是为您量身打造的解决方案。它拥有128Mb(8M x 16)的存储容量和125MHz的运行速度,能轻松应对数据缓冲、图形帧缓存及程序运行等任务,让您的设备响应如飞,处理复杂指令游刃有余。

这颗芯片采用先进的移动低功耗SDRAM技术,工作电压低至2.3V~2.7V,能显著延长便携式设备的电池续航。其54-VFBGA小型化封装和表面贴装设计,让您能更高效地利用宝贵的PCB空间,实现产品设计的紧凑与优雅。选择它,就是选择了一个经过市场千锤百炼的可靠伙伴,助您轻松构建稳定、高效且具成本优势的终端产品。

  • 制造商产品型号:MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:128Mb(8M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:125MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:7ns
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR 基本参数:

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