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这颗芯片采用1.7V~1.9V的低电压供电和并行接口设计，在保证强劲性能的同时，有效优化了功耗，让您的产品设计更加节能高效。其宽泛的工作温度范围（0°C ~ 85°C）和稳定的性能表现，更能让您从容部署于各类工业控制、网络通信及嵌入式应用场景中，为您的终端产品注入持久可靠的动力。

• 型号:MT47H512M4THN-25E:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-25E:H，Micron（美光）产品一站式供应商。