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还在为嵌入式系统的数据缓存瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8CY-5B IT:J为您带来流畅体验。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，以200MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，轻松应对高速数据读写需求，显著提升系统响应速度。

它采用2.5V~2.7V低电压运行，高效节能，并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，让您的工业控制、网络通信或汽车电子设备无惧苛刻环境挑战。其紧凑的60-TFBGA封装，更便于您优化电路板设计，节省空间。

• 型号:MT46V64M8CY-5B IT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B IT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。