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当您的设计需要一颗既能高速奔跑又能耐受极端环境的内存时，MT47H64M8SH-25E AAT:H TR就是您理想的伙伴。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度处理数据，访问时间快至400ps，让您的系统响应如电光火石般迅捷。其64M x 8的并行架构，为您提供了高效的数据通道，轻松应对大数据流的读写需求。

更重要的是，它拥有工业级的“强健体魄”，支持-40°C到105°C的宽温工作范围，并采用节省空间的60-TFBGA封装。这意味着您可以将它部署在条件苛刻的户外设备、工业自动化或车载系统中，无需担心性能波动。选择它，就是为您的核心应用选择了一份稳定、高效且值得信赖的数据存储保障。

• 型号:MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E AAT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。