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还在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的核心存储器吗？JR28F064M29EWBA就是您的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的访问速度处理数据，让您的系统告别等待，实现指令与数据的瞬间同步，极大提升整体运行效率。

它为您提供8M x 8或4M x 16的灵活组织方式，适配不同位宽需求。宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，让它能在工业控制、汽车电子、网络设备等严苛环境中稳定运行，轻松应对各种挑战。其表面贴装的48-TSOP封装，更便于您进行高密度PCB设计，节省空间。

• 型号:JR28F064M29EWBA
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:8M x 8，4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• JR28F064M29EWBA，Micron（美光）产品一站式供应商。