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它采用可靠的并联接口和宽电压设计，确保在0°C至70°C的工作温度范围内稳定运行。这颗芯片能为您担当系统的大容量、非易失记忆中枢，让您的产品设计在性能与可靠性上双双赢得优势。

• 型号:MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。