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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT46V64M8CY-5B AIT:J TR为您带来改变！这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，是您提升设备性能的得力助手。它以200MHz的高速时钟和仅700ps的极速访问时间，确保您的应用能够轻松、高效地处理海量数据流，彻底告别卡顿与延迟。

它采用2.5V~2.7V低电压运行，兼顾性能与能效，其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C）更能适应各种复杂环境。无论是用于加速网络交换、缓冲高清视频流，还是支撑工业控制系统的实时运算，它都能提供稳定可靠的高速并行存储支持，让您的产品设计更具竞争力。

• 型号:MT46V64M8CY-5B AIT:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B AIT:J TR，Micron（美光）产品一站式供应商。